【產品簡介及應用】：
隨著半導體器件沿大功率化、高頻化、集成化的方向迅猛發展,熱管理成為保障器件可靠性的重點。在新能源汽車、高鐵、航空航天等領域,半導體器件使用過程中往往要面臨顛簸震動等復雜力學環境,對材料的力學性能提出苛刻要求。氮化硅陶瓷具備高熱導率、高強度、高韌性等特點,綜合性能明顯優于氧化鋁、氮化鋁等基板材料,屬于陶瓷電路基板中的高端產品。
【選擇氮化硅陶瓷基板的優勢】:
性能 | 氧化鋁 | 氮化鋁 | 氮化硅 |
密度(g/cm3) | 3.70 | 3.30 | 3.22 |
抗折強度(MPa) | 350 | 450 | ≥600 |
韌性(MPa·m | 3 | 3 | 6 |
熱膨脹系數(10-6/K , 100°C) | 5.2 | 4 | 2.6 |
熱導率[W/(m ? K) , 25°C] | 24 | 180 | 60-90 |
比熱[J/(kg ? K) , 25°C] | 750 | 720 | 680 |
介電常數(1MHz) | 9~10 | 8.8 | 9.0 |
介電損耗(1MHz,10-4) | ≤3 | ≤3 | ≤3 |
電阻率(?·cm , 25°C ) | ≥1014 | ≥1014 | ≥1014 |
抗電強度(KV/mm) | 15 | 12 | 12 |
應用領域:絕緣柵雙極型晶體管、 高鐵、 LED照明、新能源汽車、航空航天、風力發電
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